SI3458DV-T1-E3

Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-TSOP
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Produits semi-conducteurs discrets
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Emballage

Vgs (th) (Max) @ Id:	1V @ 250µA (Min)
La technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:	6-TSOP
Séries:	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	100 mOhm @ 3.2A, 10V
Dissipation de puissance (max):	2W (Ta)
Emballage:	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:	-
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:	16nC @ 10V
type de FET:	N-Channel
Fonction FET:	-
Tension drain-source (Vdss):	60V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:	-