RN4904,LF

Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Produits semi-conducteurs discrets
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Spécifications
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Emballage

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:	US6
Séries:	-
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms):	47k
Resistor - Base (R1) (Ohms):	47k
Puissance - Max:	200mW
Emballage:	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Type de montage:	Surface Mount
Fréquence - Transition:	200MHz
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	80 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):	500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):	100mA

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