PDTD113ZQAZ

Nexperia
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Produits semi-conducteurs discrets
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Spécifications
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Emballage

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:	100mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type:	NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur:	DFN1010D-3
Séries:	Automotive, AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms):	10k
Resistor - Base (R1) (Ohms):	1k
Puissance - Max:	325mW
Emballage:	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:	3-XDFN Exposed Pad
Type de montage:	Surface Mount
Fréquence - Transition:	210MHz
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	70 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):	500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):	500mA