APTM60H23FT1G

Microsemi
MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Produits semi-conducteurs discrets
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Spécifications
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Emballage

Vgs (th) (Max) @ Id:	5V @ 1mA
Package composant fournisseur:	SP1
Séries:	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	276 mOhm @ 17A, 10V
Puissance - Max:	208W
Emballage:	Bulk
Package / Boîte:	SP1
Température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:	5316pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:	165nC @ 10V
type de FET:	4 N-Channel (H-Bridge)
Fonction FET:	Standard
Tension drain-source (Vdss):	600V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:	20A