APTGT50DA170D1G

Microsemi
IGBT 1700V 70A 310W D1
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Produits semi-conducteurs discrets
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Emballage

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):	1700V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:	2.4V @ 15V, 50A
Package composant fournisseur:	D1
Séries:	-
Puissance - Max:	310W
Package / Boîte:	D1
Température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance:	No
Type de montage:	Chassis Mount
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:	4.4nF @ 25V
Contribution:	Standard
type de IGBT:	Trench Field Stop
Courant - Collecteur Cutoff (Max):	6mA
Courant - Collecteur (Ic) (max):	70A
Configuration:	Single

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