IRF9910TR

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Produits semi-conducteurs discrets
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Emballage

Vgs (th) (Max) @ Id:	2.55V @ 250µA
Package composant fournisseur:	8-SO
Séries:	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	13.4 mOhm @ 10A, 10V
Puissance - Max:	2W
Emballage:	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:	900pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:	11nC @ 4.5V
type de FET:	2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):	20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:	10A, 12A

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Si c'est le nôtre, nous livrerons les bons compnes pour les marchandises d'échange après que nous ayons reçu de mauvais composants renvoyés.

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