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IRF7706

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Remarques / Notes

Processus d'achat

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-TSSOP
Séries:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:22 mOhm @ 7A, 10V
Dissipation de puissance (max):1.51W (Ta)
Emballage:Tube
Package / Boîte:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2211pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:72nC @ 10V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension drain-source (Vdss):30V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:7A (Ta)


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