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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Modules > MWI50-12E6K

MWI50-12E6K

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Processus d'achat

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.9V @ 15V, 35A
Package composant fournisseur:E1
Séries:-
Puissance - Max:210W
Package / Boîte:E1
Température de fonctionnement:-40°C ~ 125°C (TJ)
NTC thermistance:Yes
Type de montage:Chassis Mount
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:2nF @ 25V
Contribution:Standard
type de IGBT:-
Courant - Collecteur Cutoff (Max):300µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):51A
Configuration:Three Phase Inverter


Si vous avez eu de mauvais compnes, ce qui n'est pas commandé. Nous rechercherons qui assumera la responsabilité du problème.
Si c'est le nôtre, nous livrerons les bons compnes pour les marchandises d'échange après que nous ayons reçu de mauvais composants renvoyés.
S'il vous appartient, le client assumera une responsabilité à ce sujet. Pour les détails, veuillez contacter avec notre service client ou nos ventes.

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