HUF75829D3ST

Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Produits semi-conducteurs discrets
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Emballage

Vgs (th) (Max) @ Id:	4V @ 250µA
La technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:	TO-252AA
Séries:	UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	110 mOhm @ 18A, 10V
Dissipation de puissance (max):	110W (Tc)
Emballage:	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:	1080pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:	70nC @ 20V
type de FET:	N-Channel
Fonction FET:	-
Tension drain-source (Vdss):	150V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:	18A (Tc)