DMN65D8LDW-7

Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Produits semi-conducteurs discrets
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Prix
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15000	$0.055
30000	$0.052
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Spécifications
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Emballage

Vgs (th) (Max) @ Id:	2V @ 250µA
Package composant fournisseur:	SOT-363
Séries:	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	6 Ohm @ 115mA, 10V
Puissance - Max:	300mW
Emballage:	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:	22pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:	0.87nC @ 10V
type de FET:	2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):	60V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:	180mA