RN1963FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Produits semi-conducteurs discrets
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Prix
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10	$0.373
25	$0.269
100	$0.209
250	$0.131
500	$0.112

Spécifications
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Emballage

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:	ES6
Séries:	-
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms):	22k
Resistor - Base (R1) (Ohms):	22k
Puissance - Max:	100mW
Emballage:	Cut Tape (CT)
Package / Boîte:	SOT-563, SOT-666
Type de montage:	Surface Mount
Fréquence - Transition:	250MHz
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	70 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):	100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):	100mA