RN1610(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Produits semi-conducteurs discrets
RN1610(TE85L,F).pdf

Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les spécifications du produit pour les détails du produit.
Si vous êtes intéressé à acheter RN1610(TE85L,F), envoyez-nous un courriel.
Sales@zeanoit.com
notre équipe de vente vous répondra dans les 24 heures

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Le minimum:1; Multiples:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Spécifications
Avis
Paiement
livraison
Emballage

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:	SM6
Séries:	-
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms):	-
Resistor - Base (R1) (Ohms):	4.7k
Puissance - Max:	300mW
Emballage:	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:	SC-74, SOT-457
Type de montage:	Surface Mount
Fréquence - Transition:	250MHz
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	120 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):	100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):	100mA

Si vous avez eu de mauvais compnes, ce qui n'est pas commandé. Nous rechercherons qui assumera la responsabilité du problème.

Si c'est le nôtre, nous livrerons les bons compnes pour les marchandises d'échange après que nous ayons reçu de mauvais composants renvoyés.

S'il vous appartient, le client assumera une responsabilité à ce sujet. Pour les détails, veuillez contacter avec notre service client ou nos ventes.

RN1610(TE85L,F)

Request Quote

Processus d'achat

Produits apparentés

Devinez que vous pouvez rechercher