2SK879-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage
JFET N-CH 0.1W USM
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Produits semi-conducteurs discrets
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10	$0.394
25	$0.344
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250	$0.256
500	$0.217

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Emballage

Tension - Cutoff (VGS off) @ Id:	400mV @ 100nA
Package composant fournisseur:	USM
Séries:	-
Résistance - RDS (On):	-
Puissance - Max:	100mW
Emballage:	Cut Tape (CT)
Package / Boîte:	SC-70, SOT-323
Température de fonctionnement:	125°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:	8.2pF @ 10V
type de FET:	N-Channel
Tension drain-source (Vdss):	-
Courant - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0):	2.6mA @ 10V

Si vous avez eu de mauvais compnes, ce qui n'est pas commandé. Nous rechercherons qui assumera la responsabilité du problème.

Si c'est le nôtre, nous livrerons les bons compnes pour les marchandises d'échange après que nous ayons reçu de mauvais composants renvoyés.

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