STD10NM65N

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Produits semi-conducteurs discrets
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Prix
1	$1.63
10	$1.467
100	$1.179
500	$0.969
1000	$0.803

Spécifications
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Emballage

Vgs (th) (Max) @ Id:	4V @ 250µA
Vgs (Max):	±25V
La technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:	D-Pak
Séries:	MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	480 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):	90W (Tc)
Emballage:	Original-Reel®
Package / Boîte:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:	850pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:	25nC @ 10V
type de FET:	N-Channel
Fonction FET:	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):	10V
Tension drain-source (Vdss):	650V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:	9A (Tc)

A
A****
RU: 5.0

May/30/2020

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