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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > UNR51AEG0L

UNR51AEG0L

UNR51AEG0L
Pièce n ° UNR51AEG0L S'agit-il d'une pièce utilisée couramment? : Oui
Expédié de: HK ou entrepôt de Singapour
Le même modèle peut avoir plusieurs lots, les images uniquement à titre de référence.
Modèles ECAD: Contactez-nous pour obtenir
Email: sales@zeanoit.com

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Remarques / Notes

Processus d'achat

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type:PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur:SMini3-F2
Séries:-
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms):22k
Resistor - Base (R1) (Ohms):47k
Puissance - Max:150mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SC-85
Type de montage:Surface Mount
Fréquence - Transition:80MHz
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:60 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):80mA


Si vous avez eu de mauvais compnes, ce qui n'est pas commandé. Nous rechercherons qui assumera la responsabilité du problème.
Si c'est le nôtre, nous livrerons les bons compnes pour les marchandises d'échange après que nous ayons reçu de mauvais composants renvoyés.
S'il vous appartient, le client assumera une responsabilité à ce sujet. Pour les détails, veuillez contacter avec notre service client ou nos ventes.

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