UNR411900A

Panasonic
TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Produits semi-conducteurs discrets
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Spécifications
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Emballage

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:	250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type:	PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur:	NS-B1
Séries:	-
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms):	10k
Resistor - Base (R1) (Ohms):	1k
Puissance - Max:	300mW
Emballage:	Tape & Box (TB)
Package / Boîte:	NS-B1
Type de montage:	Through Hole
Fréquence - Transition:	80MHz
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	30 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):	500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):	100mA