APTGL90DA120T1G

Microsemi
MOD IGBT 1200V 110A SP1
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Produits semi-conducteurs discrets
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Emballage

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):	1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:	2.25V @ 15V, 75A
Package composant fournisseur:	SP1
Séries:	-
Puissance - Max:	385W
Package / Boîte:	SP1
Température de fonctionnement:	-40°C ~ 175°C (TJ)
NTC thermistance:	Yes
Type de montage:	Chassis Mount
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:	4.4nF @ 25V
Contribution:	Standard
type de IGBT:	Trench Field Stop
Courant - Collecteur Cutoff (Max):	250µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):	110A
Configuration:	Single