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DTD123TSTP

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Remarques / Notes

Processus d'achat

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur:SPT
Séries:-
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms):-
Resistor - Base (R1) (Ohms):2.2k
Puissance - Max:300mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SC-72 Formed Leads
Type de montage:Through Hole
Fréquence - Transition:200MHz
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):500mA


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