DTB123TKT146

LAPIS Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Produits semi-conducteurs discrets
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30000	$0.088
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Spécifications
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Emballage

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):	40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type:	PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur:	SMT3
Séries:	-
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms):	-
Resistor - Base (R1) (Ohms):	2.2k
Puissance - Max:	200mW
Emballage:	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de montage:	Surface Mount
Fréquence - Transition:	200MHz
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	100 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):	500nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):	500mA