SPD02N80C3ATMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Produits semi-conducteurs discrets
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Prix
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Spécifications
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Emballage

Vgs (th) (Max) @ Id:	3.9V @ 120µA
Vgs (Max):	±20V
La technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:	PG-TO252-3
Séries:	CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	2.7 Ohm @ 1.2A, 10V
Dissipation de puissance (max):	42W (Tc)
Emballage:	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:	290pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:	16nC @ 10V
type de FET:	N-Channel
Fonction FET:	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):	10V
Tension drain-source (Vdss):	800V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:	2A (Tc)