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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > IRG4BC10SD

IRG4BC10SD

IRG4BC10SD
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:1.8V @ 15V, 8A
Condition de test:480V, 8A, 100 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:76ns/815ns
énergie de commutation:310µJ (on), 3.28mJ (off)
Package composant fournisseur:TO-220AB
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):28ns
Puissance - Max:38W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:-
gate charge:15nC
Courant - Collecteur pulsée (Icm):18A
Courant - Collecteur (Ic) (max):14A


Si vous avez eu de mauvais compnes, ce qui n'est pas commandé. Nous rechercherons qui assumera la responsabilité du problème.
Si c'est le nôtre, nous livrerons les bons compnes pour les marchandises d'échange après que nous ayons reçu de mauvais composants renvoyés.
S'il vous appartient, le client assumera une responsabilité à ce sujet. Pour les détails, veuillez contacter avec notre service client ou nos ventes.

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