Citation requise

IRF6636TR1PBF

IRF6636TR1PBF
la pièce n ° IRF6636TR1PBF est disponible, voir la description de IRF6636TR1PBF ci-dessous.
Utilisez le formulaire de demande de devis pour demander prix IRF6636TR1PBF et les délais.
Achat de composants électroniques chez zeanoit.com. Nous sommes un distributeur indépendant de composants électroniques avec un stock important en stock.
Le prix et les délais pour IRF6636TR1PBF dépendent de la quantité requise, de la disponibilité et de l'emplacement de l'entrepôt. Contactez-nous aujourd'hui et notre équipe commerciale vous enverra un devis sous peu.
Email: sales@zeanoit.com

Request Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Remarques / Notes

Processus d'achat

Vgs (th) (Max) @ Id:2.45V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:DIRECTFET™ ST
Séries:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.5 mOhm @ 18A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.2W (Ta), 42W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:DirectFET™ Isometric ST
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2420pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:27nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension drain-source (Vdss):20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:18A (Ta), 81A (Tc)


Si vous avez eu de mauvais compnes, ce qui n'est pas commandé. Nous rechercherons qui assumera la responsabilité du problème.
Si c'est le nôtre, nous livrerons les bons compnes pour les marchandises d'échange après que nous ayons reçu de mauvais composants renvoyés.
S'il vous appartient, le client assumera une responsabilité à ce sujet. Pour les détails, veuillez contacter avec notre service client ou nos ventes.