IRF1902GPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Produits semi-conducteurs discrets

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Emballage

Vgs (th) (Max) @ Id:	700mV @ 250µA
La technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:	8-SO
Séries:	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	85 mOhm @ 4A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):	-
Emballage:	Tube
Package / Boîte:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:	310pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:	7.5nC @ 4.5V
type de FET:	N-Channel
Fonction FET:	-
Tension drain-source (Vdss):	20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:	4.2A (Ta)