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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPP023N04NGXKSA1

IPP023N04NGXKSA1

IPP023N04NGXKSA1
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US$ 1.78
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Prix
1 $1.78
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Processus d'achat

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 95µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TO-220-3
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.3 mOhm @ 90A, 10V
Dissipation de puissance (max):167W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:10000pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:120nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension drain-source (Vdss):40V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:90A (Tc)


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Si c'est le nôtre, nous livrerons les bons compnes pour les marchandises d'échange après que nous ayons reçu de mauvais composants renvoyés.
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