IXTA48N20T

IXYS Corporation
MOSFET N-CH 200V 48A TO-263
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Produits semi-conducteurs discrets
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Emballage

Vgs (th) (Max) @ Id:	4.5V @ 250µA
La technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:	TO-263 (IXTA)
Séries:	Trench™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	50 mOhm @ 24A, 10V
Dissipation de puissance (max):	250W (Tc)
Emballage:	Tube
Package / Boîte:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:	3090pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:	60nC @ 10V
type de FET:	N-Channel
Fonction FET:	-
Tension drain-source (Vdss):	200V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:	48A (Tc)