IS43DR86400E-3DBL

ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Circuits intégrés (CI)
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Spécifications
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Emballage

Tension - Alimentation:	1.7 V ~ 1.9 V
Package composant fournisseur:	60-TWBGA (10.5x8)
La vitesse:	333MHz
Séries:	-
Emballage:	Tray
Package / Boîte:	60-TFBGA
Température de fonctionnement:	0°C ~ 85°C (TC)
Type de mémoire:	Volatile
Taille mémoire:	512Mb (64M x 8)
Format de mémoire:	DRAM
Interface:	Parallel