GP1M009A070F

Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 700V 9A TO220F
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Produits semi-conducteurs discrets
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Spécifications
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Emballage

Vgs (th) (Max) @ Id:	4V @ 250µA
La technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:	TO-220F
Séries:	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	1.05 Ohm @ 4.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):	52W (Tc)
Emballage:	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:	TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:	1944pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:	30nC @ 10V
type de FET:	N-Channel
Fonction FET:	-
Tension drain-source (Vdss):	700V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:	9A (Tc)