HGTP12N60A4

Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 54A 167W TO220AB
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Produits semi-conducteurs discrets
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Spécifications
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Emballage

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):	600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:	2.7V @ 15V, 12A
Condition de test:	390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:	17ns/96ns
énergie de commutation:	55µJ (on), 50µJ (off)
Package composant fournisseur:	TO-220AB
Séries:	-
Puissance - Max:	167W
Emballage:	Tube
Package / Boîte:	TO-220-3
Température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
Type d'entrée:	Standard
type de IGBT:	-
gate charge:	78nC
Courant - Collecteur pulsée (Icm):	96A
Courant - Collecteur (Ic) (max):	54A