DMN63D8LV-7

Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Produits semi-conducteurs discrets
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Prix
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15000	$0.047
30000	$0.044
65535	$0.041

Spécifications
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Emballage

Vgs (th) (Max) @ Id:	1.5V @ 250µA
Package composant fournisseur:	SOT-563
Séries:	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	2.8 Ohm @ 250mA, 10V
Puissance - Max:	450mW
Emballage:	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:	SOT-563, SOT-666
Température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:	22pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:	0.87nC @ 10V
type de FET:	2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):	30V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:	260mA