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AOWF12N65

AOWF12N65
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Processus d'achat

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:720 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max):28W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2150pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:48nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension drain-source (Vdss):650V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:12A (Tc)


Si vous avez eu de mauvais compnes, ce qui n'est pas commandé. Nous rechercherons qui assumera la responsabilité du problème.
Si c'est le nôtre, nous livrerons les bons compnes pour les marchandises d'échange après que nous ayons reçu de mauvais composants renvoyés.
S'il vous appartient, le client assumera une responsabilité à ce sujet. Pour les détails, veuillez contacter avec notre service client ou nos ventes.