NTMFS4C05NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Produits semi-conducteurs discrets
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Prix
1500	$0.267
3000	$0.243
7500	$0.227
10500	$0.212

Spécifications
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Emballage

Vgs (th) (Max) @ Id:	2.2V @ 250µA
Vgs (Max):	±20V
La technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Séries:	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	3.4 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max):	770mW (Ta), 33W (Tc)
Emballage:	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:	8-PowerTDFN
Température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:	1972pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:	14nC @ 4.5V
type de FET:	N-Channel
Fonction FET:	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):	4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):	30V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:	11.9A (Ta)