NSBC113EDXV6T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Produits semi-conducteurs discrets
NSBC113EDXV6T1G.pdf

Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les spécifications du produit pour les détails du produit.
Si vous êtes intéressé à acheter NSBC113EDXV6T1G, envoyez-nous un courriel.
Sales@zeanoit.com
notre équipe de vente vous répondra dans les 24 heures

Request Quote

Spécifications
Avis
Paiement
livraison
Emballage

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:	250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:	SOT-563
Séries:	-
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms):	1k
Resistor - Base (R1) (Ohms):	1k
Puissance - Max:	500mW
Emballage:	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:	SOT-563, SOT-666
Type de montage:	Surface Mount
Fréquence - Transition:	-
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	3 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):	500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):	100mA

Si vous avez eu de mauvais compnes, ce qui n'est pas commandé. Nous rechercherons qui assumera la responsabilité du problème.

Si c'est le nôtre, nous livrerons les bons compnes pour les marchandises d'échange après que nous ayons reçu de mauvais composants renvoyés.

S'il vous appartient, le client assumera une responsabilité à ce sujet. Pour les détails, veuillez contacter avec notre service client ou nos ventes.

NSBC113EDXV6T1G

Request Quote

Processus d'achat

Produits apparentés

Devinez que vous pouvez rechercher